FZT851QTA, 60V 3W 100@2A,1V 6A NPN SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 080 ֏
1 шт.
на сумму 3 080 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 400V NPN Med PWR 100mA 200mV 20A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 3 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FZT851QTA |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Collector Emitter Voltage Max | 60В |
Continuous Collector Current | 6А |
DC Current Gain hFE Min | 25hFE |
DC Усиление Тока hFE | 25hFE |
Power Dissipation | 3Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Частота Перехода ft | 130МГц |
Вес, г | 0.27 |
Техническая документация
Datasheet FZT851QTA
pdf, 457 КБ