FMMT493TC, 100V 500mW 100@250mA,10V 1A NPN TO-236-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
335 ֏
от 10 шт. —
247 ֏
от 30 шт. —
207 ֏
1 шт.
на сумму 335 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности: | 500 mW |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Высота: | 1.1 mm |
Длина: | 3 mm |
Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора: | 1 A |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO): | 120 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 100 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 600 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток: | 1 A |
Подкатегория: | Transistors |
Полярность транзистора: | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 150 MHz |
Производитель: | Diodes Incorporated |
Размер фабричной упаковки: | 10000 |
Серия: | FMMT49 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка: | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок: | SOT-23-3 |
Ширина: | 1.4 mm |
Collector Emitter Voltage Max | 100В |
Continuous Collector Current | 1А |
DC Current Gain hFE Min | 20hFE |
DC Усиление Тока hFE | 20hFE |
Power Dissipation | 500мВт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Частота Перехода ft | 150МГц |
Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 375 КБ