DMN3024SFG-7, 30V 23mOhm PowerDI3333-8 MOSFETs
![DMN3024SFG-7, 30V 23mOhm PowerDI3333-8 MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/523/DOC006523414.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
392 ֏
от 10 шт. —
322 ֏
от 30 шт. —
256 ֏
1 шт.
на сумму 392 ֏
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30 PowerD3333-8,2K
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 7.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 890 mW |
Qg - заряд затвора | 10.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 23 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 7.9 ns |
Время спада | 3.1 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | DMN3024 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 14.6 ns |
Типичное время задержки при включении | 2.9 ns |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
Вес, г | 0.12 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 158 КБ