DMN62D4LFB-7B, 65V 2000mOhm X1-DFN1006-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
71 ֏
от 150 шт. —
66 ֏
5 шт.
на сумму 485 ֏
Описание
The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 407 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | X1-DFN1006 |
| Pin Count | 3 |
| Series | Enhancement |
| Transistor Material | Plastic |
| Вес, г | 0.02 |