DSS60601MZ4-13, 60V 1.2W 120@1A,2V 6A NPN SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
278 ֏
от 150 шт. —
238 ֏
от 500 шт. —
191 ֏
5 шт.
на сумму 2 420 ֏
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
Configuration: | Single |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 50 at 6 A, 2 V |
DC Current Gain hFE Max: | 150 at 500 mA, 2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 6 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-223-4 |
Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | DSS60 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.24 |