DMN2036UCB4-7, 1.45W X2-WLB1616-4 MOSFETs

DMN2036UCB4-7, 1.45W X2-WLB1616-4 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
440 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.282 ֏
от 150 шт.242 ֏
от 500 шт.201 ֏
5 шт. на сумму 2 200 ֏
Номенклатурный номер: 8025170862
Бренд: DIODES INC.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1.45 W
Qg - заряд затвора 12.6 nC
Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 278 ns
Время спада 572 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel, NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 2 N-Channel
Типичное время задержки выключения 738 ns
Типичное время задержки при включении 183 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок X2-WLB1616-4
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Dual Common Drain
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Maximum Continuous Drain Current (A) 1.6
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 45@4.5V
Maximum Drain Source Voltage (V) 24
Maximum Gate Source Voltage (V) ±12
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1450
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 4
Pin Count 4
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Supplier Package X2-WLB
Typical Fall Time (ns) 572
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 12.6@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 12600@10V
Typical Rise Time (ns) 278
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 738
Typical Turn-On Delay Time (ns) 183
Вес, г 0.09

Техническая документация

Datasheet
pdf, 410 КБ
Datasheet DMN2036UCB4-7
pdf, 410 КБ