DMN6069SFGQ-13, PowerDI-3333-8 MOSFETs
![DMN6069SFGQ-13, PowerDI-3333-8 MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/456/DOC025456601.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
840 ֏
от 10 шт. —
530 ֏
от 30 шт. —
418 ֏
от 100 шт. —
304 ֏
1 шт.
на сумму 840 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 3.3 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | PowerDI3333-8 |
Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 25 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 39 mOhms |
Rise Time: | 5 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 3.6 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 0.18 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 505 КБ