DMTH6004SPSQ-13, PowerDI5060-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 030 ֏
от 10 шт. —
1 370 ֏
от 30 шт. —
1 170 ֏
от 100 шт. —
980 ֏
1 шт.
на сумму 2 030 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы DMTx
Diodes Incorporated МОП-транзисторы DMTx представляют собой N-канальные полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии и быстрым переключением. Эти полевые МОП-транзисторы также разработаны с учетом строгих требований автомобильных приложений. Diodes Incorporated DMTx MOSFET идеально подходят для высокоэффективных приложений управления питанием.
Diodes Incorporated МОП-транзисторы DMTx представляют собой N-канальные полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии и быстрым переключением. Эти полевые МОП-транзисторы также разработаны с учетом строгих требований автомобильных приложений. Diodes Incorporated DMTx MOSFET идеально подходят для высокоэффективных приложений управления питанием.
Технические параметры
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 25 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3.1@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2100 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | Yes |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerDI EP |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 95.4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 95.4@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4556@30V |
| Typical Rise Time (ns) | 11.7 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 31 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13.2 |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | PowerDI5060-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 95.4 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.1 mOhms |
| Rise Time: | 11.7 ns |
| Series: | DMTH6004 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.08 |