DMN3032LFDBWQ-7, DFN2020-6 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
880 ֏
от 10 шт. —
620 ֏
от 30 шт. —
560 ֏
1 шт.
на сумму 880 ֏
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.024Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.024Ом |
| Power Dissipation N Channel | 820мВт |
| Power Dissipation P Channel | 820мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 5.5А |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 5.5А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 5.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 820мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.024Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | UDFN2020 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.07 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 458 КБ