DMT36M1LPS-13, PowerDI5060-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 30 шт. —
414 ֏
от 100 шт. —
364 ֏
1 шт.
на сумму 660 ֏
Описание
The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0048Ом |
Power Dissipation | 42Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 65А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 42Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0048Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerDI 5060 |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.025 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | PowerDI5060-8 |
Pin Count | 8 |
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 4.6 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 65 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | PowerDI5060-8 |
Pd - Power Dissipation: | 42 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 16.7 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.8 mOhms |
Rise Time: | 5.5 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 13.5 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 3.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 0.27 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 358 КБ
Datasheet DMT36M1LPS-13
pdf, 432 КБ