DTC115EM3T5G, 80@5mA,10V 1 NPN - Pre BIased 260mW 100mA 50V 500nA SOT-723 DIgItal TransIstors
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
278 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
212 ֏
от 150 шт. —
198 ֏
5 шт.
на сумму 1 390 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 260 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.5 mm |
Длина | 1.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80, 150 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Серия | DTC115EM3 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 100 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-723-3 |
Ширина | 0.8 mm |
Base Part Number | DTC115 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | SOT-723 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power - Max | 260mW |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
Series | - |
Supplier Device Package | SOT-723 |
Transistor Type | NPN-Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300ВµA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 140 КБ