DTC115EM3T5G, 80@5mA,10V 1 NPN - Pre BIased 260mW 100mA 50V 500nA SOT-723 DIgItal TransIstors

DTC115EM3T5G, 80@5mA,10V 1 NPN - Pre BIased 260mW 100mA 50V 500nA SOT-723 DIgItal TransIstors
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
278 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.212 ֏
от 150 шт.198 ֏
5 шт. на сумму 1 390 ֏
Номенклатурный номер: 8025174734

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 260 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.5 mm
Длина 1.2 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 80, 150
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 80
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 8000
Серия DTC115EM3
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 100 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-723-3
Ширина 0.8 mm
Base Part Number DTC115
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-723
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power - Max 260mW
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Series -
Supplier Device Package SOT-723
Transistor Type NPN-Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 140 КБ