2SA1417S-TD-E, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
436 ֏
1 шт.
на сумму 436 ֏
Описание
100V 500mW 100@100mA,5V 2A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 100V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 130mV@1A, 100mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz |
| Case | SOT89 |
| Collector current | 2A |
| Collector-emitter voltage | 100V |
| Current gain | 140…280 |
| Frequency | 120MHz |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | bipolar |
| Power dissipation | 0.5W |
| Type of transistor | PNP |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 158 КБ