RTR020N05TL, SINGLE N-CHAN 45V 2A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
75000 шт., срок 8 недель
269 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
260 ֏
от 12000 шт. —
247 ֏
3000 шт.
на сумму 807 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
MOSFET, N CHANNEL, 45V, 2A, TSMT3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2A, Drain Source Voltage Vds:45V, On Resistance Rds(on):250mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:1.5V, Product Range:-, RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-346T-3 |
| Part # Aliases: | RTR020N05 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.9 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 180 mOhms |
| Rise Time: | 16 ns |
| Series: | RTR020N05 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1587 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг