IMZ1AT108, NPN/PNP 50V 150MA SOT-457

Фото 1/2 IMZ1AT108, NPN/PNP 50V 150MA SOT-457
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6000 шт., срок 8 недель
62 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт.58 ֏
3000 шт. на сумму 186 000 ֏
Альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8025453269
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors
Описание Транзистор: NPN / PNP, биполярный, дополнительная пара, 50В, SC74 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.1 mm
Длина 2.9 mm
Другие названия товара № IMZ1A
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 120
Конфигурация Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 560
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.15 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V, 7 V
Непрерывный коллекторный ток 150 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 140 MHz, 180 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия IMZ1A
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Ширина 1.6 mm
Base Product Number IMZ1AT108 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 180MHz, 140MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-74, SOT-457
Power - Max 300mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package SMT6
Transistor Type NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 150mA
Pd - Power Dissipation 300mW

Техническая документация

Datasheet IMZ1AT108
pdf, 55 КБ
Datasheet IMZ1AT108
pdf, 2080 КБ
Datasheet IMZ1AT108
pdf, 2902 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг