RK7002BMT116, 2.5V Drive Nch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
> 1 млн. шт., срок 8 недель
31 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
25 ֏
от 15000 шт. —
24 ֏
3000 шт.
на сумму 93 000 ֏
Альтернативные предложения5
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 250mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 200mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.4О© @ 250mA,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.3V @ 1mA |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 250 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Rise Time | 5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | RK7002BM |
| Technology | Si |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 18 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.5 ns |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V, 0.3A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.9V |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Type | null |
| Case | SOT23 |
| Drain current | 0.25A |
| Drain-source voltage | 60V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 2.4Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 200/350mW |
| Pulsed drain current | 1A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг