RV3C002UNT2CL, 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16000 шт., срок 8 недель
119 ֏
Кратность заказа 8000 шт.
от 16000 шт. —
115 ֏
8000 шт.
на сумму 952 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.15A I(D), 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Fall Time | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 150 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | DFN0604-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Product | MOSFETs |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.4 Ohms |
| Rise Time | 4 ns |
| RoHS | Details |
| Series | RVxC |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | Small Signal MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.4Ом |
| Power Dissipation | 100мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 150мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 100мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.4Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN0603 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1248 КБ
Документация
pdf, 2085 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг