UMZ1NTR, NPN/PNP 50V 150MA SOT-363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21000 шт., срок 8 недель
49 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
44 ֏
от 15000 шт. —
43 ֏
3000 шт.
на сумму 147 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Биполярные транзисторы - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-363
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.9 mm |
| Длина | 2 mm |
| Другие названия товара № | UMZ1N |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V, 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | + 7 V, - 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | + 150 mA / - 150 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz, 180 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | UMZ1NT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Ширина | 1.25 mm |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Transistor Type | NPN,PNP |
Техническая документация
Datasheet UMZ1NTR
pdf, 2080 КБ
Datasheet UMZ1NTR
pdf, 2866 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг