SST2222AT116, NPN 40V 0.6A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9000 шт., срок 8 недель
49 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
44 ֏
от 9000 шт. —
42 ֏
3000 шт.
на сумму 147 000 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 75 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 0.6 A |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 35 |
| DC Current Gain hFE Max: | 300 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SST2222A |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | SST2222A |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
Техническая документация
Datasheet UM2222AU3T106
pdf, 1622 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг