Главная › Каталог брендов › Rohm › Позиции на заказ › RUM001L02T2CL

RUM001L02T2CL

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

88000 шт., срок 8 недель

49 ֏

Кратность заказа 8000 шт.

от 16000 шт. — 44 ֏

от 24000 шт. — 41 ֏

от 48000 шт. — 40 ֏

8000 шт. на сумму 392 000 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8025505982

Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors

МОП-транзистор 500MA FULL CMOS LDO REGULATOR

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	100 mA
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	4.5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	300 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4 ns
Время спада	38 ns
Другие названия товара №	RUM001L02
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	180 ms
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	RUM001L02
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	20 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-723-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	100mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	150mW
Rds On - Drain-Source Resistance	3.5О© @ 100mA,4.5V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20V
Vgs - Gate-Source Voltage	1V @ 100uA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	100 mA
Maximum Drain Source Resistance	18 Ω
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	150 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-723
Pin Count	3
Series	RUM001L02
Width	0.9mm
Case	SOT723
Drain current	0.1A
Drain-source voltage	20V
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate-source voltage	±8V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting	SMD
On-state resistance	3.5Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	0.15W
Pulsed drain current	0.4A
Type of transistor	N-MOSFET
Continuous Drain Current (Id)	100mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	3.5Ω@4.5V, 100mA
Drain Source Voltage (Vdss)	20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1V@100uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	7.1pF@10V
Power Dissipation (Pd)	150mW
Type	1PCSNChannel