Главная › Каталог брендов › Rohm › Позиции на заказ › RU1J002YNTCL, 0.9V Drive Nch MOSFET

RU1J002YNTCL, 0.9V Drive Nch MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

30000 шт., срок 8 недель

44 ֏

Кратность заказа 3000 шт.

от 9000 шт. — 37 ֏

от 30000 шт. — 34 ֏

3000 шт. на сумму 132 000 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8025534189

Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors

МОП-транзистор 0.9V Drive Nch МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	200 mA
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	50 V
Vgs - напряжение затвор-исток	4.5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	300 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	8 ns
Время спада	43 ns
Другие названия товара №	RU1J002YN
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	200 ms
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	RU1J002YN
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	17 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-323FL-3
кол-во в упаковке	1
Brand	ROHM Semiconductor
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	43 ns
Id - Continuous Drain Current	200 mA
Manufacturer	ROHM Semiconductor
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	UMT3F-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	150 mW
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	1.6 Ohms
Rise Time	8 ns
RoHS	Details
Series	RU1J002YN
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-channel
Typical Turn-Off Delay Time	17 ns
Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	50 V
Vgs - Gate-Source Voltage	8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	800 mV
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	200 mA
Maximum Drain Source Resistance	9 Ω
Maximum Drain Source Voltage	50 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Maximum Gate Threshold Voltage	0.8V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	150 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-323
Pin Count	3
Width	1.35mm