UMZ1NFHATR, Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR HIGH RELIABILITY
408000 шт., срок 8 недель
58 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
53 ֏
от 24000 шт. —
49 ֏
3000 шт.
на сумму 174 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
50V 150mW 120@1mA,6V 150mA NPN+PNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@5mA, 50mA;500mV@5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@1mA, 6V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | NPN+PNP |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz;140MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1552 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг