SCT3080ALGC11, N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2700 шт., срок 8 недель
7 400 ֏
Кратность заказа 30 шт.
от 120 шт. —
6 900 ֏
от 270 шт. —
6 800 ֏
от 510 шт. —
6 600 ֏
30 шт.
на сумму 222 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Описание Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 30А, 650В, 0.08Ом, 18В, 5.6В Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Fall Time: | 16 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 3.8 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | SCT3080AL |
| Pd - Power Dissipation: | 134 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 48 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Rise Time: | 26 ns |
| Series: | SCT3x |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +22 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 450 |
| Fall Time | 16 ns |
| Forward Transconductance - Min | 3.8 S |
| Id - Continuous Drain Current | 30 A |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-247N-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 134 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 48 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 80 mOhms |
| Rise Time | 26 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -4 V to+22 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.7 V |
Техническая документация
Документация
pdf, 695 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг