QS5K2TR, N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
192000 шт., срок 8 недель
176 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
168 ֏
от 9000 шт. —
163 ֏
от 15000 шт. —
157 ֏
3000 шт.
на сумму 528 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
МОП-транзистор N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Qg - заряд затвора | 2.8 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 8 ns |
| Высота | 0.85 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | QS5K2 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | QS5K2 |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 N-Channel MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-25T-5 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TSMT-5 |
| Pin Count | 5 |
| Transistor Configuration | Common Source |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.8 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.6mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг