IRF640SPBF, MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 560 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
1 520 ֏
от 250 шт. —
1 440 ֏
от 500 шт. —
1 340 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 78 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 11А, 130Вт, D2PAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 18 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 180@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 70(Max)@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 70(Max) |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3100 |
Typical Fall Time (ns) | 36 |
Typical Rise Time (ns) | 51 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | D2PAK |
Standard Package Name | TO-263 |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 4.83(Max) |
Package Length | 10.41(Max) |
Package Width | 9.65(Max) |
PCB changed | 2 |
Tab | Tab |
Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
Pd - рассеивание мощности | 130 W |
Qg - заряд затвора | 70 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 51 ns |
Время спада | 36 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.7 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 45 ns |
Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Power Dissipation (Max) | 3.1W(Ta), 130W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-263(DВІPak) |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 130 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
Width | 9.65mm |
Крутизна характеристики S,А/В | 6.7 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 180 |
Температура, С | -55…+150 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 134 КБ
Datasheet IRF640SPBF
pdf, 209 КБ
Datasheet IRF640SPBF
pdf, 204 КБ
Документация
pdf, 206 КБ
Datasheet IRF640S, SiHF640S, SiHF640L
pdf, 231 КБ