Главная › Каталог брендов › Vishay › Позиции на заказ › IRF740APBF

IRF740APBF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 170 ֏

Кратность заказа 50 шт.

от 100 шт. — 1 090 ֏

от 250 шт. — 1 000 ֏

от 500 шт. — 990 ֏

Добавить в корзину 50 шт. на сумму 58 500 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8025578010

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, TO220AB Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	125 W
Qg - заряд затвора	36 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	400 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	35 ns
Время спада	22 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	4.9 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	24 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Base Product Number	IRF740 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1030pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550mOhm @ 6A, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Brand	Vishay Semiconductors
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	50
Fall Time	22 ns
Height	9.01 mm
Id - Continuous Drain Current	10 A
Length	10.41 mm
Manufacturer	Vishay
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	125 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	550 mOhms
Rise Time	35 ns
RoHS	Details
Series	IRF/SIHF740Ax
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	24 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Unit Weight	0.211644 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	400 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Width	4.7 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	10 A
Maximum Drain Source Resistance	550 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	400 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Power Dissipation	125 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	36 nC @ 10 V