Главная › Каталог брендов › Rohm › Позиции на заказ › 2SCR533P5T100, NPN 50V Vceo 3A Ic MPT3

2SCR533P5T100, NPN 50V Vceo 3A Ic MPT3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

> 1 млн. шт., срок 8 недель

137 ֏

Кратность заказа 1000 шт.

от 2000 шт. — 132 ֏

1000 шт. на сумму 137 000 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8025583547

Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors

Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V Vceo 3A Ic MPT3

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	500 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	2SCR533P5
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	180 at 50 mA, 3 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450 at 50 mA, 3 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	130 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	3 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	320 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2SxR
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-89-3
Brand	ROHM Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	130 mV
Configuration	Single
Continuous Collector Current	3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	180 at 50 mA, 3 V
DC Current Gain hFE Max	450 at 50 mA, 3 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	1000
Gain Bandwidth Product fT	320 MHz
Manufacturer	ROHM Semiconductor
Maximum DC Collector Current	3 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SC-62-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	500 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	2SxR
Technology	Si
Transistor Polarity	NPN
Maximum Collector Base Voltage	50 V
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Power Dissipation	500 mW
Minimum DC Current Gain	180
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-89
Pin Count	3+Tab
Transistor Configuration	Common Emitter
Transistor Type	NPN
Collector Emitter Voltage Max	50В
DC Current Gain hFE Min	180hFE
Power Dissipation	500мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-89
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный