IMH11AT110, DUAL NPN 50V 50MA SOT-457
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
477000 шт., срок 8 недель
53 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
49 ֏
от 30000 шт. —
45 ֏
3000 шт.
на сумму 159 000 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 50MA SOT-457
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | IMH11A |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | IMH11A |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Ширина | 1.6 mm |
| Base Product Number | *MH11 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Power - Max | 300mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | SMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500ВµA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 30 |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | IMH11A |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Series | IMH11A |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Typical Input Resistor | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
Техническая документация
Datasheet IMH11AT110
pdf, 1477 КБ
Datasheet IMH11AT110
pdf, 1473 КБ
Datasheet IMH11AT110
pdf, 1473 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг