UMB9NTN, DUAL PNP 50V 70MA SOT-428
27000 шт., срок 8 недель
88 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
75 ֏
3000 шт.
на сумму 264 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 250 МГц 150 мВт UMT6 для поверхностного монтажа
Технические параметры
| Base Product Number | UMB9 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power - Max | 150mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | UMT6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 45 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг