IRF540PBF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

840 ֏

Кратность заказа 1000 шт.

от 2000 шт. — 800 ֏

от 5000 шт. — 740 ֏

1000 шт. на сумму 840 000 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8025614416

Semiconductors\Discrete Semiconductors

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 20А, 150Вт, TO220AB Характеристики

Category	Power MOSFET
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.51x4.65x15.49 mm
Forward Diode Voltage	2.5 V
Forward Transconductance	8.7 S
Height	15.49 mm
Length	10.51 mm
Maximum Continuous Drain Current	28 A
Maximum Drain Source Resistance	0.077 Ω
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	150 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature Range	-55 to+175 °C
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 72 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds	1700 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time	11 ns
Typical TurnOff Delay Time	53 ns
Width	4.65 mm
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si