Главная › Каталог брендов › Nexperia › Позиции на заказ › BC817-25W,115

BC817-25W,115

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

210000 шт., срок 8 недель

22 ֏

Кратность заказа 3000 шт.

от 9000 шт. — 18 ֏

от 15000 шт. — 17 ֏

Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 66 000 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8025626823

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,5А, 200мВт, SOT323 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Другие названия товара №	934021930115
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	160 at 100 mA, 1 V, 40 at 500 mA, 1 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	160 at 100 mA, 1 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC817
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-323-3
Ширина	1.35 mm
Base Product Number	BC817 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 100mA, 1V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	100MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SC-70, SOT-323
Power - Max	200mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package	SOT-323
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	45V
Maximum DC Collector Current	500mA
Pd - Power Dissipation	200mW
Maximum Collector Base Voltage	50 V
Maximum Collector Emitter Voltage	45 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	200 mW
Minimum DC Current Gain	160
Number of Elements per Chip	1
Package Type	UMT
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single