Главная › Каталог брендов › Rohm › Позиции на заказ › RV2C010UNT2L, 20V 1A Nch Power MOSFET

RV2C010UNT2L, 20V 1A Nch Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

24000 шт., срок 8 недель

80 ֏

Кратность заказа 8000 шт.

от 24000 шт. — 75 ֏

8000 шт. на сумму 640 000 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8025630009

Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors

МОП-транзистор 20V 1A Nch Power МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	1 A
Pd - рассеивание мощности	400 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	470 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	300 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	15 ns
Время спада	10 ns
Другие названия товара №	RV2C010UN
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	RV2C010UN
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel Power MOSFET
Типичное время задержки выключения	15 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	DFN-1006-3
Brand	ROHM Semiconductor
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	8000
Fall Time	10 ns
Id - Continuous Drain Current	1 A
Manufacturer	ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number Of Channels	1 Channel
Package / Case	DFN-1006-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Part # Aliases	RV2C010UN
Pd - Power Dissipation	400 mW
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	470 mOhms
Rise Time	15 ns
Series	RV2C010UN
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	15 ns
Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Vgs - Gate-Source Voltage	4.5 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage	300 mV
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	1 A
Maximum Drain Source Resistance	1.05 Ω
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	400 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.3V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DFN
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Width	1.05mm