FQP47P06
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 500 ֏
от 2 шт. —
4 930 ֏
от 5 шт. —
4 490 ֏
от 10 шт. —
4 280 ֏
1 шт.
на сумму 5 500 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -33,2А, 160Вт, TO220, QFET® Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 47A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.026? |
| Maximum Drain Source Voltage | 60V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25V |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Pin Count | 3 |
| Product Height | 9.2mm |
| Product Length | 9.9mm |
| Product Width | 4.5mm |
| Supplier Package | TO-220 |
| Typical Fall Time | 195ns |
| Typical Rise Time | 450ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 100ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 50ns |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | 175°C |
| монтаж (установка) | Through Hole |
| разрешение | Power MOSFET |
| Вес, г | 2.865 |
Техническая документация
Документация
pdf, 798 КБ