BC856AS-7, 65V 200mW 180@2mA,5V 100mA 2PCSPNP SOT-363-6(SC-70-6) BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
84 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
53 ֏
от 300 шт. —
41 ֏
от 3000 шт. —
33 ֏
10 шт.
на сумму 840 ֏
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 65 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
Configuration: | Dual |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 125 |
DC Current Gain hFE Max: | 250 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-363-6 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | BC856A |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 585 КБ