DSS5220T-7, 20V 1.2W 225@500mA,2V 2A PNP SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
132 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
93 ֏
от 150 шт. —
84 ֏
от 500 шт. —
73 ֏
5 шт.
на сумму 660 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 20V PNP Low Sat Transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 225 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 482 КБ