DMN3067LW-13, 30V 2.6A 67mOhm@2.5A,4.5V 500mW N Channel SOT-323(SC-70) MOSFETs
![DMN3067LW-13, 30V 2.6A 67mOhm@2.5A,4.5V 500mW N Channel SOT-323(SC-70) MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514453.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
172 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 860 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
Fall Time: | 6.1 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 2.6 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-323-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 4.6 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
Rise Time: | 5.2 ns |
Series: | DMN3067 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerDI |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 3.8 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 253 КБ