DP0150BLP4-7, 50V 450mW 200@2mA,6V 100mA PNP X2-DFN1006-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
141 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
102 ֏
от 150 шт. —
93 ֏
от 500 шт. —
79 ֏
5 шт.
на сумму 705 ֏
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 150 mV |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 |
| DC Current Gain hFE Max: | 200 at 2 mA, 6 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 80 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DFN3 |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | DP0150 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 432 КБ