MMST3904Q-7-F, null null 100@10mA,1V null NPN SOT-323 BIpolar TransIstors - BJT

Фото 1/2 MMST3904Q-7-F, null null 100@10mA,1V null NPN SOT-323 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
93 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.75 ֏
5 шт. на сумму 465 ֏
Номенклатурный номер: 8026221585
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 60V NPN 40Vceo 200mA 200mW

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 400
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 200 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 300 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MMST3904
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-323-3
Collector Emitter Voltage Max 40В
Continuous Collector Current 200мА
DC Current Gain hFE Min 30hFE
DC Усиление Тока hFE 30hFE
Power Dissipation 200мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323
Частота Перехода ft 300МГц
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet MMST3904Q-7-F
pdf, 284 КБ