MMSTA55-7-F, SOT-323(SC-70) BIpolar TransIstors - BJT

MMSTA55-7-F, SOT-323(SC-70) BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
97 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.71 ֏
5 шт. на сумму 485 ֏
Номенклатурный номер: 8026221968
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT -60V 200mW

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW (1/5 W)
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4 V
Непрерывный коллекторный ток 0.5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MMSTA
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-323-3
Ширина 1.35 mm
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -500 mA
Emitter- Base Voltage VEBO: 4 V
Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 50 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-323-3
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 77 КБ
Datasheet MMSTA56-7
pdf, 113 КБ