MMST5401Q-7-F, SOT-323(SC-70) BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 485 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS Hi Voltage Transistor
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | MMST5401 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 378 КБ