PJD11N06A-AU_L2_000A1, null 75mOhm@6A,10V null TO-252AA MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2765 шт., срок 5-6 недель
313 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
216 ֏
от 150 шт. —
194 ֏
от 500 шт. —
172 ֏
5 шт.
на сумму 1 565 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8026302925
Бренд: PanJit Semiconductors
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 6.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252AA-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.3 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 90 mOhms |
| Rise Time: | 9.7 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 0.46 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 781 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг