RQ5E025ATTCL, 30V 2.5A 1W 91mOhm@2.5A,10V P Channel TSMT3-3(2.9x1.7) MOSFETs
![Фото 1/2 RQ5E025ATTCL, 30V 2.5A 1W 91mOhm@2.5A,10V P Channel TSMT3-3(2.9x1.7) MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288656.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/506/DOC016506045.jpg)
6 шт., срок 5-6 недель
800 ֏
1 шт.
на сумму 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Silicon Power MOSFETs
ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.07Ом |
Power Dissipation | 1Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.07Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-346T |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 5.5 ns |
Forward Transconductance - Min: | 2.1 S |
Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-346-3 |
Part # Aliases: | RQ5E025AT |
Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 5.4 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
Rise Time: | 8.5 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Вес, г | 0.52 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг