R8002CND3FRATL, 800V 2A 4.3Ohm@1A,10V 69W N Channel TO-252 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт., срок 5-6 недель
3 300 ֏
1 шт.
на сумму 3 300 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 3.3Ом |
| Power Dissipation | 69Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 69Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3.3Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Вес, г | 0.81 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1333 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг