RQ6C050BCTCR, SC-95 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 шт., срок 5-6 недель
1 100 ֏
от 10 шт. —
710 ֏
от 30 шт. —
630 ֏
1 шт.
на сумму 1 100 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Silicon Power MOSFETs ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 65 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 5.5 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-457-6 |
| Part # Aliases: | RQ6C050BC |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.4 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 27 mOhms |
| Rise Time: | 32 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Вес, г | 0.15 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг