EMG8T2R, Транзистор: NPN
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
65 шт., срок 5-6 недель
71 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
58 ֏
5 шт.
на сумму 355 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
80@10mA,5V 2 NPN - Pre-Biased 150mW 100mA 50V 500nA SMD-5P Digital Transistors ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@250uA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | 2 NPN-Pre-Biased |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Вес, г | 0.1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг