FDMC8010, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 220 ֏
от 10 шт. —
2 250 ֏
1 шт.
на сумму 3 220 ֏
Описание
МОП-транзистор FET 30V 1.3 MOHM PQFN33
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 166 A |
| Pd - рассеивание мощности | 54 W |
| Qg - заряд затвора | 32 nC, 67 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench Power Clip |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | FDMC8010 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | Power-33-8 |
| Ширина | 3.3 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 900мкОм |
| Power Dissipation | 54Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 75А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 54Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 900мкОм |
| Стиль Корпуса Транзистора | Power 33 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 54 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | Power 33 |
| Pin Count | 8 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Width | 3.3mm |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 382 КБ
Datasheet FDMC8010
pdf, 886 КБ
Datasheet FDMC8010
pdf, 884 КБ