2N7002V, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,28А; Idm: 1,5А; 0,25Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
247 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
168 ֏
5 шт.
на сумму 1 235 ֏
Описание
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 280 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 13.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-563 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.2mm |
| Вес, г | 0.01 |