RRH140P03TB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 5-6 недель
2 380 ֏
от 10 шт. —
1 720 ֏
1 шт.
на сумму 2 380 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
30V 14A 7mΩ@14A,10V 650mW 2.5V@1mA P Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 14A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@14A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 8nF@10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 650mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 80nC@5V |
| Type | P Channel |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOP-8 |
| Part # Aliases: | RRH140P03 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 80 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.3 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг