QS8J13TR, Транзистор: P-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90 шт., срок 5-6 недель
800 ֏
от 10 шт. —
580 ֏
от 30 шт. —
493 ֏
1 шт.
на сумму 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
12V 5.5A 22mΩ@5.5A,4.5V 1.25W 1V@1mA 2 P-Channel TSMT8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 5.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@5.5A, 4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.3nF@6V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 60nC@4.5V |
| Type | 2 P-Channel |
| Channel Type | P Channel |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 5.5A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 5.5A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.015ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.015ohm |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 12V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 12V |
| No. of Pins | 8Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Power Dissipation N Channel | 1.5W |
| Power Dissipation P Channel | 1.5W |
| Transistor Case Style | TSMT |
| Вес, г | 0.1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг