DMP4015SK3-13, Транзистор: P-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 020 ֏
от 10 шт. —
660 ֏
от 30 шт. —
520 ֏
от 100 шт. —
441 ֏
1 шт.
на сумму 1 020 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 137.9 ns |
Forward Transconductance - Min: | 26 S |
Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 3.5 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 47.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
Rise Time: | 10 ns |
Series: | DMP4015 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 302.7 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 13.2 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
Maximum Drain Source Resistance | 15 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 3.5 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 47.5 nC @ 5 V |
Width | 6.2mm |
Вес, г | 1 |