RD3L01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 шт., срок 5-6 недель
880 ֏
от 10 шт. —
660 ֏
от 30 шт. —
580 ֏
1 шт.
на сумму 880 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.065Ом |
| Power Dissipation | 26Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг